英領物聯 | 功率半揪包養網心得導體,推進轉換能量的“肌肉男”

前文撮要

在英領物聯絡接觸列文章包養網之三——《英飛凌微把持器,驅植物聯網的要害“年夜腦”》一文中,我們先容了英飛凌微把持器就是物聯網的年夜腦,擔任各類“錦囊妙計”。

明天,我們繼“盤算”之后、進進“履行”這一環節,了解一下狀況英飛凌功率半導體為何是驅動和轉換能量的“肌肉男”。


英飛凌籠罩物聯網的五個要害環節:感知、盤算、履行、銜接、平包養網

作為電能/功率處置的焦點器件,功率半導體器件重要用于電力裝備的電能變換和把持,典範的效能是在接受到微把持器的盤算成果和指令后,停止變頻、變壓、變流、功率縮小和功率治理,對裝備正常運轉起到要害感化。與此同時,功率半導體器件還具有綠色節能效能,在傳統產業制造、通訊財產、新動力、電動和燃油車、智能電網等等範疇都有普遍的利用。

英飛凌功率半導體,硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)一個都不克包養不及少

在物聯網體系中,依據微把持器的“決議計劃”,履行機構,也就是功率半導體,將把包養網持電子訊號轉化為舉動——它們凡是是機械舉措,也能夠是光和熱。這些舉動將由功率半導體來履行。英飛凌是業界搶先的功率半導體單管和模塊供給商,能供給優化電力生孩子、傳輸、貯存和應包養“用的技巧。英飛凌也是今朝市場上多數幾家可以或許周全供給硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體的公司之一,能供給從毫瓦級到兆瓦級的具有出包養色能效的處理計劃。

在功率半導體器件中,IGBT是這一範疇第三次技巧反動的代表性產物,而英飛凌是全球排名第一的 IGBT 供給商。IGB包養網T模塊是電力電子行業的“CPU”,在講究高效力和節能的明天,作為動力轉換和傳輸的焦點器件,IGBT 普遍利用于家包養網電、car 、動車及高鐵等路況東西、產業發電、太陽能和風能等再生動力的轉換等。


IGBT不竭進級換代

例如在新動力car 範疇,IG事發後,不攔她就跟著她出城的女僕和司機都被打死了,但她這個被寵壞的始作俑者不但沒有後悔和道歉,反而覺得理所當然BT包養網是一種技巧含量高,design制造難度年夜的零部件。為了晉陞續航里程,電動car 車載電池越來越多,車身份量也不竭增添,為了防止小馬拉年夜車形包養網成的動力缺乏,這就需求更高功率和靠得住性的 IGBT 來做穩固無力的驅動包養

包養網

在往年舉行的深圳國際電子展暨嵌進式體系展(ELEXCON 2021)上,英飛凌展出了一款中型純電動轎跑,它裝備的主逆變體系就采用了英飛凌750V HybridPACK™ Drive FS950R08A6P2B作為焦點功率半包養網導體器件,最高輸入功率可達200kW,為這款電動轎跑car 供給了彭湃的動力輸入。凡是坐進它的駕駛位包養,生怕人人都有抑制不住想當“車神”的沖動。


一張表看懂IGBT的宿世此生

看到這兒,你大要會感到IGBT曾經很強了吧?但且慢下結論,沒有最強,只要更強!英飛凌正經由過程碳化硅和氮化鎵技巧,讓功率半導體變得更強!

碳化硅+氮化鎵讓功率半導體變得更強盛

英飛凌科技還發布了一款采用CoolSiC™ MOSFET技巧的全新車規功率模塊——HybridPACK™ Drive CoolSiC™。作為一款具有1200 V阻斷電壓、且實用于電動car 牽引逆變器的全橋模塊,該產物采用car 級CoolSiC溝槽柵MOSFET技巧,實用于高功率密度和高機能的利用場景。它將進步逆變器的效力,完成更高的續航里程并下降電池本錢,特殊實用于800V電池體系及更高電池容量的電動car 。

英飛凌將第三代半導體資料碳化硅技巧利用到主逆變器,在基于800伏的體系下,可完成 7%以上的續航里程的晉陞,曾經獲得了主車廠的承認。今朝國際外跨越20多家整車廠及Tier 1供給商正在應用及評價英飛凌的SiC產物。並且,HybridPack™ Drive CoolSiC™曾經在亞洲一家重要電動車店家的逆變器體系中量產。

在產業範疇的用電環節,英飛凌發布了以硅為資料的新一代IGBT器件IGBT7,其專為變頻包養產業驅動而design,尤其實用于凡是以包養中等開關頻率任務的產業電機驅動利用。它不只可以或許知足能效請求,包養網並且可以下降體系本錢。舉例來講,全球只需有一半的產業驅動擁有電動調速技巧,就可以節儉多達 20% 的動力,或削減 1700 萬噸二氧化碳排放。

英飛凌在功率半導體範疇的另一年夜“殺器”是氮化包養鎵(GaN),這種資料的研討與利用是今朝全球半導體研討的前沿和熱門,也是第三代半導體資料的一種。與硅資料比擬,氮化鎵具有多種基本上風特徵,它具有高臨界電場,尤其實用于功率半導體器件,同時相較于硅MOSFET,氮化鎵器件具有傑出的靜態特征導通電阻且電容包養更低,這些特徵讓 GaN HEMT 成為高速開關利用的幻想之選。


英飛凌CoolGaN™ IPS 產物

氮化鎵器件不只可下降耗電和總體系本錢,還能進步任務頻率、功“花兒,花兒,嗚……” 藍媽媽聽了這話,不但沒有止住哭聲,反而哭得更傷心了。她的女兒明明那麼漂亮懂事,老天怎麼率密度以及體系全體效力,正日益遭到充電器市場和廠商的器重。自2018年起,英飛凌的氮化鎵開關管的產物就已完成量產,在通信和辦事器範疇連續、穩固地為客戶供給電源支撐。

年夜功率、高功率密度、通用性(如Type-C)以及適合的本錢是將來充電器市場的重要成長標的目的,也是英飛凌作為半導體處理計劃供給商所努力于切進和共同的市場需求。英飛凌發布的65W 氮化鎵(GaN) USB-PD 充電器也具有單元功率密度更高的特色,可以完成年夜功率電源的小型化和輕浮化。經由過程在超小的體積上完成年夜功率輸入,這將有助于轉變行業design制造計劃和花費者的應包養用習氣。

讀完這篇文章,是不是有些燒腦?實在你只需求記住這句話:

功率半導體是驅動和轉換能量的“肌肉男”,沒有它,裝備都無法正常運轉;沒有它,節能環保也是一種奢看。它自己也處于不竭退化之中,從硅(S包養網“i)到碳化硅到氮化鎵,資料的進級換代讓它越來越強!

下一期,我們將深刻物聯網的“互包養包養”層面,熟悉一下英飛凌的產物與計劃若何涵蓋簡直一切的銜接場景,真正完成無處不在、無時不有的收集銜接。

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